金属氧化物半导体场效应管 (MOSFETs) 是现代电子行业中最常见的晶体管类型之一。在如今的现代 CPU 和集成电路中，它们的数量通常以十亿为单位。MOSFETs 可被归为电压控制的开关这一类。它们也可用于执行逻辑操作以及组成放大器。它们是基本构建块，可用于组建有史以来性能最强大的计算机、数据处理和计算机器。MOSFETs 应用十分广泛，因为在硅晶片上大量使用时价格相对便宜。

MOSFET 由位于被称为氧化物的绝缘体顶部的金属栅极组成。二氧化硅或 SiO₂ 是在该工艺技术中常用的氧化物。MOSFET 也具有两个 N 型电位阱，包含嵌在 P 型硅基底上的掺杂 N 型材料。同样有 P 型 MOSFET，其电位阱和基底只是与 N 型 MOSFET 中的电位阱和基底极性相反。长度也被称为通道长度，这是 MOSFETs 的一个重要方面，将两个 N 型电位阱从物理上分离。这两个电位阱被称为漏极和源极。对金属栅极施加电压后，电场会在两个 N 型电位阱之间的间隔形成。对栅极施加电压之后，将产生电场，并形成倒置，使得正电荷出现在金属栅极上，负电荷沿着通道排列。当电场形成这种倒置，且负电荷沿着通道长度积聚之后，便产生了一个传导通道，电流或电子便可从漏极流向源极。在这种情况下，晶体管便被开启，就像开关一样，从而允许电流流动，而之前是并不允许电流流动的。这就是为什么 MOSFET 会被认为是一个电压控制的开关。流动的电流被称为 Ids。从栅极去除被称为 Vgs 的电压之后，通道将关闭，电流将停止导通，且晶体管也将关闭。

MOSFETs 并不是完美的线性设备，也没有不同的工作状态。根据使用和应用情况，可能需要或不需要不同的状态。有一种通用的状态被称为饱和，无论对栅极施加多大的电压，设备都不会再传导更多的电流。