์ ํ ๊ธฐ์ ์ฌ์
RoHS (Union Europรฉenne)
Compliant with Exemption
ECCN (รtats-Unis)
EAR99
Statut de piรจce
NRND
Code HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
Taux de SVHC dรฉpassant le seuil autorisรฉ
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Catรฉgorie
Power MOSFET
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'รฉlรฉments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
60
Tension minimale de source barriรจre (V)
ยฑ20
Tension seuil de barriรจre maximale (V)
3.7
Courant de drain continu maximal (A)
75
Courant de fuite maximal de source de barriรจre (nA)
100
IDSS maximal (uA)
1
Rรฉsistance maximale de source de drainage (mOhm)
7.3@10V
Charge de barriรจre type @ Vgs (nC)
58@10V
Charge de barriรจre type @ 10V (nC)
58
Capacitance d'entrรฉe type @ Vds (pF)
3000@25V
Dissipation de puissance maximale (mW)
99000
Temps de descente type (ns)
34
Temps de montรฉe type (ns)
51
Dรฉlai type de mise ร l'arrรชt (ns)
32
Dรฉlai type de mise en marche (ns)
11
Tempรฉrature de fonctionnement minimale (ยฐC)
-55
Tempรฉrature de fonctionnement maximale (ยฐC)
175
Emballage
Tube
Rรฉsistance type ร une source de drainage @ 25ยฐC (mOhm)
6@10V|7.5@6V
Installation
Through Hole
Hauteur du paquet
9.02(Max)
Largeur du paquet
4.83(Max)
Longueur du paquet
10.67(Max)
Carte รฉlectronique changรฉe
3
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
TO-220AB
Dรฉcompte de broches
3
Forme de sonde
Through Hole

