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MOSFET

IRFB7546PBF

Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Infineon Technologies AG
Schede tecniche 

Specifiche Tecniche del Prodotto
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    NRND
  • Code HTS
    COMPONENTS
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    60
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    3.7
  • Courant de drain continu maximal (A)
    75
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    7.3@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    58@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    58
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    3000@25V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    99000
  • Temps de descente type (ns)
    34
  • Temps de montée type (ns)
    51
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    32
  • Délai type de mise en marche (ns)
    11
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    175
  • Emballage
    Tube
  • Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
    6@10V|7.5@6V
  • Installation
    Through Hole
  • Hauteur du paquet
    9.02(Max)
  • Largeur du paquet
    4.83(Max)
  • Longueur du paquet
    10.67(Max)
  • Carte électronique changée
    3
  • Onglet
    Tab
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    TO-220AB
  • Décompte de broches
    3
  • Forme de sonde
    Through Hole

Documentazione e Risorse

Schede tecniche
Risorse di progettazione