| RoHS (Union Européenne) | Compliant |
| ECCN (États-Unis) | EAR99 |
| Statut de pièce | Active |
| Code HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Catégorie | Power MOSFET |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Technologie de traitement | TMOS |
| Mode canal | Enhancement |
| Type de canal | N|P |
| Nombre d'éléments par puce | 2 |
| Tension drain-source maximale (V) | 30 |
| Tension minimale de source barrière (V) | ±20 |
| Tension seuil de barrière maximale (V) | 3@N Channel|2.5@P Channel |
| Courant de drain continu maximal (A) | 6.5@N Channel|7@P Channel |
| Courant de fuite maximal de source de barrière (nA) | 100 |
| IDSS maximal (uA) | 1 |
| Résistance maximale de source de drainage (mOhm) | 30@10V@N Channel|33@10V@P Channel |
| Charge de barrière type @ Vgs (nC) | 13@10V@N Channel|9.2@10V@P Channel |
| Charge de barrière type @ 10V (nC) | 13@N Channel|9.2@P Channel |
| Capacitance d'entrée type @ Vds (pF) | 255@15V@N Channel|520@15V@P Channel |
| Dissipation de puissance maximale (mW) | 2000 |
| Temps de descente type (ns) | 3.5@N Channel|7@P Channel |
| Temps de montée type (ns) | 2.5@N Channel|5.5@P Channel |
| Délai type de mise à l'arrêt (ns) | 14.5@N Channel|19@P Channel |
| Délai type de mise en marche (ns) | 4.5@N Channel|7.5@P Channel |
| Température de fonctionnement minimale (°C) | -55 |
| Température de fonctionnement maximale (°C) | 150 |
| Emballage | Tape and Reel |
| Installation | Surface Mount |
| Hauteur du paquet | 1.55(Max) mm |
| Largeur du paquet | 4(Max) mm |
| Longueur du paquet | 5.1(Max) mm |
| Carte électronique changée | 8 |
| Nom de lemballage standard | SO |
| Conditionnement du fournisseur | SOP |
| Décompte de broches | 8 |
