Modules IGBT

FZ1800R12HE4B9HOSA2

Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.735KA 11000W 9-Pin IHMB190-2 Tray

Infineon Technologies AG

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  EA

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Technologie

  Field Stop|Trench

• Type de canal

  N

• Configuration

  Triple

• Tension de saturation collecteur-émetteur type (V)

  1.75

• Tension collecteur-émetteur maximale (V)

  1200

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  11000

• Tension grille-émetteur maximale (V)

  ±20

• Courant collecteur continu maximal (A)

  2735

• Courant maximal de fuite d'émetteur de barrière (uA)

  0.4

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -40

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Tray

• Installation

  Screw

• Largeur du paquet

  140

• Longueur du paquet

  190

• Carte électronique changée

  9

• Conditionnement du fournisseur

  IHMB190-2

• Décompte de broches

  9